Aixtron und Ohio State University revolutionieren Halbleiterforschung mit Galliumoxid-Technologie

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Ein Computersystem auf einem Glastisch mit einer Tafel davor, Broschüren auf der CPU und einem Holzfußboden im Hintergrund.

Aixtron und Ohio State University revolutionieren Halbleiterforschung mit Galliumoxid-Technologie

Aixtron festigt Position in der Halbleitertechnologie der nächsten Generation durch Partnerschaft mit der Ohio State University

Der deutsche Ausrüstungslieferant Aixtron hat seine führende Rolle in der Halbleitertechnologie der Zukunft durch eine neue Kooperation mit der Ohio State University (OSU) weiter ausgebaut. Das Unternehmen stellt sein hochmodernes MOCVD-System für die Forschung an Galliumoxid zur Verfügung – ein Material, das die Leistungselektronik revolutionieren soll. Investoren reagierten positiv: Die Aktie des Konzerns kletterte auf 18,79 Euro und liegt damit deutlich über dem langjährigen Durchschnitt.

Das Institute for Materials and Manufacturing Research der OSU hat sich für das Close Coupled Showerhead®(CCS)-System von Aixtron entschieden, das im Nanotech West Lab zum Einsatz kommt. Mit dieser Anlage lassen sich präzise Schichten aus Galliumoxid und Aluminium-Galliumoxid auf 100-Millimeter-Substraten herstellen. Die CCS-Technologie garantiert gleichmäßige, hochwertige Dünnschichten – eine entscheidende Voraussetzung für die Produktion fortschrittlicher Halbleiter.

Die Zusammenarbeit mit der OSU unterstreicht Aixtrons technologische Vorreiterrolle bei Halbleitern mit ultrabreitem Bandabstand. Mit einer starken Aktienperformance und frühzeitigem Zugang zu Galliumoxid-Anwendungen ist das Unternehmen gut aufgestellt, um künftige Fortschritte in der Leistungselektronik voranzutreiben. Eine aktuelle Analyse vom 20. November deutet zudem darauf hin, dass Aktionäre kurzfristig strategische Entscheidungen in Betracht ziehen müssten.